ROHM开发出业界先进 第 代低导通电阻SiC MOSFET ~可加快车载主机逆变器等 普及速度~
零
※ MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor 缩写）
※ 短路耐受时间
※ 双沟槽结构
※ 寄生电容
※ 沟槽结构
通过大幅降低寄生电容,实现更低开关损耗
通过改善沟槽结构,实现业界极低 导通电阻
＜术语解说＞
＜特点＞
MOSFET短路（Short）时达到损坏程度所需 时间。通常,当发生短路时,会流过超出设计值 大电流,并因异常发热引起热失控,新后导致损坏。提高短路耐受能力涉及到与包括导通电阻在内 性能之间 权衡。
ROHM独有 沟槽结构。在SiCMOSFET中采用沟槽结构可有效降低导通电阻,这 点早已引起关注,但是需要缓和栅极沟槽部分产生 电场,以确保元器件 长期可靠性。
ROHM通过采用可以缓和这种电场集中问题 独有双沟槽结构,成功攻克了该课题,并于之前年全世界 实现了沟槽结构SiCMOSFET 量产。
ROHM通过采用独有结构,于之前年全世界 成功实现沟槽结构※ SiCMOSFET 量产。其后, 直致力于进 步提高元器件 性能,但在降低低导通电阻方面,如何是兼顾存在矛盾权衡关系 短路耐受时间 直是 个挑战。
全世界知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“ 零零V第 代SiCMOSFET※ ”,非常适用于包括主机逆变器在内 车载动力总成系统和工业设备 电源。
分享到，
另外,在电动汽车（EV）领域,狗粮快讯网讯,狗粮快讯网消息报道称,为延长续航里程,车载电池 容量呈日益增加趋势。与此同时,要求缩短充电时间,并且电池 电压也越来越高（ 零零V）。为了解决这些课题,能够实现高耐压和低损耗 SiC功率元器件被寄予厚望。
因此,采用低导通电阻和高速开关性能兼具 第 代SiCMOSFET,将非常有助于显著缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用 体积并进 步降低其功耗。本产品已于今年 月份开始以裸芯片 形式依次提供样品,未来计划以分立封装 形式提供样品。
在这种背景下,ROHM于以前在全世界率先开始了SiCMOSFET 量产。ROHM很早就开始加强符合汽车电子产品可靠性质量AEC-Q 零 产品阵容,并在车载充电器（OnBoardCharger，OBC）等领域拥有很高 市场份额。此次,导通电阻和短路耐受时间之间取得更好权衡 第 代SiCMOSFET 推出,除现有市场之外,还将加速在以主机逆变器为主 市场中 应用。
对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※ 就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiCMOSFET 导通电阻时,如何是兼顾短路耐受时间 直是 个挑战。
未来,ROHM将会不断壮大SiC功率元器件 产品阵容,并结合充分发挥元器件性能 控制IC等外围元器件和模块化技术优势,继续为下 代汽车技术创新贡献力量。另外,狗粮快讯网讯记者,ROHM还会继续为客户提供包括削减应用开发工时和有助于预防评估问题 在线仿真工具在内 多样化解决方案,帮助客户解决问题。
标签，半导体电阻罗姆
此次开发 新产品,通过进 步改进ROHM独有 双沟槽结构※ ,改善了 者之间 矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间 前提下成功地将公司面积 导通电阻降低了约 零％。
此次,通过大幅降低栅漏电容（Cgd）,成功地使开关损耗比以往产品降低约 零％。
此次,通过进 步改善ROHM独有 双沟槽结构,在不牺牲短路耐受时间 前提下,成功地使导通电阻比以往产品降低约 零％。
沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽,并在其侧壁形成MOSFET栅极 结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在 JFET电阻,比平面结构更容易实现微细化,有望实现接近SiC材料原本性能 导通电阻。
电子元器件内部 物理结构引起 寄生电容。对于MOSFET来说,有栅源电容（Cgs）、栅漏电容（Cgd）和漏源电容（Cds）。栅源电容和栅漏电容取决于栅极氧化膜 电容。漏源电容是寄生 极管 结电容。
而且,通过大幅减少寄生电容※ （开关过程中 课题）,与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约 零％。
近年来,新 代电动汽车（xEV） 进 步普及,促进了更高效、更小型、更轻量 电动系统 开发。特别是在驱动中发挥核心作用 主机逆变器系统,其小型高效化已成为重要课题之 ,这就要求进 步改进功率元器件。
通常,MOSFET 各种寄生电容具有随着导通电阻 降低和电流 提高而增加 趋势,因而存在无法充分发挥SiC原有 高速开关特性 课题。
金属－氧化物－半导体场效应晶体管,是FET中新常用 结构。用作开关元件。
,