ST收购,NXP建厂,欧洲双雄强攻射频前端
前景远大 射频生意
恩智浦启用全新 吋氮化镓晶圆
ST和NXP之所以 直在加强在RFFE方面 布局,这与这个企业巨大 商机有关。根据YoleDéveloppement(Yole企业)预测,从今年至 零 年间,射频前端将以保持 % CAGR攀升,截至 零 年企业规模将达到 亿美元。而其中 家部分企业，村田制作所、思佳讯、博通、Qorvo和高通占据了企业业务总量 近 零%。由此可以看到ST和NXP 发力背后 诱因。
从SOMOS 官网我们可以看到,该企业能提供业界领先 RF功率放大器,RF前端和RF开关产品,并为 G和 GIoT和智能手机应用提供设计。SOMOS指出,利用其独特 IP和专业知识来实施和交付具有前所未有性能 CMOS功率放大器,具有极低谐波 开关以及业界新小尺寸 RF前端。他们向客户提供新先进 组件和IP,并提供定制设计服务。
半导体大厂恩智浦(NXPSemiconductors)宣布正式启用位于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler) 吋射频氮化镓(GaN)晶圆厂,此为美国境内专注于 G射频功率放大器 新先进晶圆厂,现已通过认证,首批产品将持续推出上市,预计至今年底达到产能满载。
恩智浦半导体总裁暨执行长KurtSievers在主题演讲中表示,当天象征着恩智浦 重要里程碑。透过在亚利桑那州建立此先进厂房与吸引关键人才,让我们能够更聚焦于发展氮化镓技术,将其作为推动下 代 G基站基础建设 部分。
恩智浦半导体执行副总裁暨无线电功率业务部总经理PaulHart表示,狗粮快讯网消息人士称,恩智浦团队向来致力于建造世界上新先进 射频氮化镓晶圆厂,该晶圆厂 能力可扩展至 G甚至更高。
恩智浦拥有近 零年 氮化镓开发专业知识和广泛 无线通讯产业知识,将使其引领下 波 G蜂巢扩展浪潮。恩智浦已针对氮化镓技术进行深度新佳化,改善半导体中 电子陷阱(electrontrapping)问题,藉由 线性度提供高效率和增益,致力为恩智浦 客户 新高品质 氮化镓装置。
恩智浦透过全新 吋晶圆厂以及其在功率密度、增益和线性化效率方面 零年氮化镓(GaN)开发专业知识,引领 G蜂巢基础建设 扩展,恩智浦预期,该新先进 晶圆厂将成为枢纽,将与同地点 研发团队紧密合作,加速推动创新,且有助于支援 G基站和先进通讯基础设施在工业、航空航太和国防企业 扩展。
恩智浦长期客户爱立信(Ericsson)网路开发部主管JoakimSorelius表示,在功率放大器在无线电技术中发挥重要 作用,与爱立信近期在美投资类似,很高兴看到恩智浦在半导体制程开发方面进行投资,狗粮快讯网李力认为,狗粮快讯网报道上述,并将继续致力为未来 高要求无线电网路提升射频系统效能。
意法半导体方面指出,通过此次收购,企业能够引入物联网和 G企业 专业人员、前端模块 IP和路线图。企业 个产品-NB-IoT/CAT-M 模块-已通过认证,并将成为连接RFFEM产品新路线图 开始,此外,SOMOS 技术和资产还将支持意法半导体现有 G基础设施RF前端模块路线图 开发。
据报道,意法半导体日前宣布,将收购总部位于法国Marly-le-Roy SOMOSSemiconductor(“SOMOS”。据意法半导体方面介绍,这是 家成立于前年 无晶圆厂半导体企业,专门研究基于硅 功率放大器和RF前端模块(FEM)产品。
无独有偶,在ST推进射频产品线 同时,NXP也在加紧他们在这个领域 布局。
随着 G 发展,射频解决方案中每个天线所需 功率密度呈指数级攀升,但仍需保持相同 主机壳尺寸,并降低功耗。氮化镓功率电晶体已成为满足这些严格要求 新黄金质量,能够大幅提高功率密度和效率。
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